Struktur av hexagonal bornitrid

Bornitrid (BN) är ett nytt nanomaterial med breda-bandgap med utmärkta egenskaper och stor utvecklingspotential. Det är en typisk förening av gruppen ⅲ - ⅴ, sammansatt av kväveatomer och boratomer. Kväveatomer och boratomer kombineras med varandra på olika hybridsätt för att bilda bornitrid med olika fasstrukturer: hexagonal bornitrid (H-BN), romboidal bornitrid (R-BN), kubisk bornitrid nitrid (C-BN), wurtzite bornitrid (W-BN) och ortogonal bornitrid (O-BN). Bland dem är hexagonal bornitrid den enda bornitridfasen som finns i naturen.

Hexagonal boron nitride belongs to hexagonal crystal system, with the same hexagonal crystal structure as graphene. Its lattice constant A =0.2504nm, C =0.6661nm, is stacked by multi-layer structure. B-n-b between layers is connected by van der Waals force, easy to be peeled off, light in mass, non-conductive, with a wide band gap (5.1eV). It has the advantages of high hardness (Mohr hardness 2), high melting point (>3000K), hög syrebeständighet på 900 grader, hög temperaturbeständighet på 2000 grader, låg termisk expansion/krymphastighet, bra värmeavledning längs C--axeln och har ett brett användningsområde. Dessutom kan enkel- eller flerskiktiga hexagonala BORON-nitrösa rör nanomaterial krympas till hexagonala bornitrösa rör.